威伦
低频晶体管
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
特征
浪涌能力。
•
高
高电流容量的紧凑型封装。
•
Guardring
0.8A.
I
C
=
过电压保护。
•
超高速开关。
外延平面型。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
NPN补充： 2SD1781K
•
无铅零件符合环保标准
我们声明
/228
MIL-STD-19500
该产品符合RoHS要求的材料。
无铅封装
后缀"G"
•
符合RoHS的产品包装代码
可用的
无卤
产品包装代号后缀“G”
RoHS指令
产品包装代号后缀"H"
FM120-M
2SB1197KxLT1
THRU
FM1200-M
无铅产品
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
特点
包装外形
SOD-123H
PNP硅
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT- 23
机械数据
包装代号后缀为“H”
无卤产品
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：
标记和订购信息
设备
模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
设备
方法2026
记号
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
集热器
0.031 （ 0.8 ）典型值。
1
BASE
•
极性：由阴极频带指示
2SB1197KQLT1
AHQ
•
安装位置：任意
2SB1197KRLT1
AHR
•
重量：的逼近0.011克
最大额定值（Ta = 25
C)
尺寸以英寸（毫米）
2
辐射源
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
符号
范围
参数
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
V
CBO
−40
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
评级
标识代码
发射极 - 基极电压
最大的经常峰值反向电压
集电极电流
最大RMS电压
集电极耗散功率
最大直流阻断电压
结温
最大正向平均整流电流
储存温度
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
单位
V
V
首席执行官
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
V
−32
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
C)
I
FSM
−5
12
20
−0.8
13
30
21
30
14
0.2
20
150
V
14
A
40
W
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
28
V
°C
°C
40
V
−55
150
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
电气特性（ TA = 25
A
参数
典型热阻（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
典型结电容（注1 ）
集电极 - 发射极击穿电压
工作温度范围
发射极 - 基极击穿电压
存储温度范围
符号最小值。
R
θJA
BV
CBO
−40
C
J
BV
首席执行官
J
−32
T
BV
EBO
TSTG
−5
典型值。
−
−
马克斯。
单位
V
−
−
−
−
-55到+125
V
V
条件
40
I
C
= −50µ
A
120
I
C
= -1mA
I
E
= −50µ
A
-
65
到+175
-55到+150
℃
P
注意事项：
−0.5
−
V
CB
= −20V
µ
A
I
CBO
−
收藏家Cuto FF电流
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
−0.5
−
V
EB
= −4V
−
I
EBO
µ
A
发射Cuto FF电流
V
0.9
最大正向电压在1.0A DC
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
−0.5
V
CE （ SAT ）
I
C
/I
B
= -0.5A / -50mA
−
−
V
集电极 - 发射极饱和电压
0.5
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
m
390
h
FE
I
R
120
−
−
V
CE
= −3V,
I
C
= -100mA
直流电流传输比
10
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
−
−
V
CE
= −5V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
200
f
T
兆赫
跃迁频率
输出电容
COB
−
12
30
pF
V
CB
= −10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
h
FE
值被分类如下：
项目（ * ）
h
FE
Q
120~270
R
180~390
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
