SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
晶体管（ PNP ）
漏电流和耐热性。
更好的反
•
低调的表面安装，以便应用程序
特点
威伦
FM120-M
2SB1073
THRU
FM1200-M
包
无铅产品
特点
包装外形
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
SOD-123H
优化电路板空间。
低
低功耗，高
饱和电压V
CE （ SAT ）
•
集电极 - 发射极
EF网络效率。
•
高电流能力，低正向
大峰值集电极电流I
C
电压降。
•
高浪涌能力。
无铅封装可用
•
Guardring过电压保护。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属
代码后缀“H”的
无卤素产品包装
硅结。
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
1
2
3
0.071(1.8)
0.056(1.4)
符号
参数
机械数据
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
价值
单位
0.040(1.0)
0.024(0.6)
发射极 - 基极电压
方法2026
-7
V
0.5
150
储存温度
℃
最大额定值和电气特性
-55-150
im
12
13
I
C
=-10μA,I
E
=0
20
30
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相
特性（T
a
= 25℃除非另有
电动
半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
参数
评级
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
（ BR ） CBO
V
RRM
V
（ BR ） CEO
I
O
V
（ BR ） EBO
V
RMS
V
DC
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
-30
42
60
18
80
56
80
10
100
70
100
115
V
150
105
150
120
200
140
200
集电极 - 基极击穿电压
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
Pr
el
14
20
标识代码
集电极 - 发射极击穿电压
INA
W
℃
集电极电流 - 连续
•
极性：由阴极频带指示
集电极电源
任何
•
安装位置：
耗散
•
重量：的逼近0.011克
结温
-4
A
I
C
=-1mA,I
B
=0
ry
特定网络版）
21
30
V
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
-30
集电极 - 基极电压
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
集电极 - 发射极电压
-20
V
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
-20
1.0
-7
30
40
120
V
最大正向平均
电压
发射极 - 基极击穿
整流电流
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
E
=-10μA,I
C
=0
V
CB
=-30V,I
E
=0
V
-0.1
μA
μA
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
I
CBO
FSM
集电极截止电流
典型热阻
发射极截止电流
（注2 ）
R
I
EBO
θJA
V
EB
=-7V,I
C
=0
C
J
直流电流
温度范围
操作
收益
存储温度范围
典型结电容（注1 ）
-0.1
h
FE
T
J
TSTG
-55到+125
V
CE
=-2V,I
C
=-2A
120
-55到+150
315
集电极 - 发射极饱和电压
过渡
正向电压在1.0A DC
最大
频率
集电极输出电容
额定阻断电压DC
-
65
到+175
V
CE （ SAT ）
f
T
V
F
C
ob
I
R
I
C
=-3A,I
B
=-100mA
V
CE
=-6V,I
C
=-50mA,f=200MHz
0.50
0.70
0.5
10
-1
120
0.85
40
V
兆赫
0.9
pF
0.92
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
V
CB
=-20V,I
E
=0,f=1MHz
注意事项：
1测在1 MHz
分类
和应用4.0伏的反向电压。
h的
FE
2-热阻结点到环境
秩
Q
120-205
IQ
R
180-315
IR
范围
记号
2012-06
威伦电子股份有限公司
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
