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2SA812XLT1 参数 Datasheet PDF下载

2SA812XLT1图片预览
型号: 2SA812XLT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 351 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
图7集电极 - 发射极饱和电压与
低功耗,高效率。
集电极电流(
高电流能力,低正向
)
电压降。
–1
高浪涌能力。
I
C
/I
B
= 10
Guardring过电压保护。
–0.5
高速开关。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
–0.2
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
通用晶体管
特点
威伦
FM120-M
2SA812xLT1
THRU
FM1200-M
无铅产品
包装外形
图8的增益带宽积与发射极电流
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
V
CE ( SAT )
,集电极饱和电压( V)
1000
f
r
过渡频率(MHz)
T
A
= 25°C
V
CE
= –12V
500
0.071(1.8)
0.056(1.4)
200
机械数据
25°C
–0.1
T
A
= 100°C
–40°C
100
0.040(1.0)
0.024(0.6)
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
–0.05
:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
–0.2
–0.5
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
50
方法2026
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
极性:由阴极频带指示
(MA )
I
C
,集电极电流
安装位置:任意
重量:的逼近0.011克
C
ob
,集电极输出电容(pF )
C
ib
极,发射极输入电容(pF )
尺寸以英寸(毫米)
I
E
,发射极电流(毫安)
图9集电极输出电容vs.collector - 基极电压
发射inputcapacitance
和电气特性
最大额定值
与发射极 - 基极电压
 
在25 ℃评分
20
环境温度,除非另有规定。
T
A
= 25°C
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
F = 1MHz的
C
ib
I
E
= 0A
对于容性负载,减免电流20 %
10
评级
C
ob
I
C
= 0A
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
标识代码
最大的经常峰值反向电压
5
最大RMS电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
 
I
FSM
–10
R
θJA
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
 
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
V
最大直流阻断电压
最大平均
2
正向整流电流
 
V
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
 
 
A
典型热阻
–0.5 –1
(注2 )
CB
–2
–5
–20
 
典型结电容
V,集电极基极电压( V)
(注1 )
C
J
工作温度范围
EB
,发射器基极电压( V)
T
J
V
存储温度范围
TSTG
 
-55到+125
40
120
 
-55到+150
 
-
65
到+175
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
V
I
R
m
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
 
 
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司