中功率晶体管
(*32V,
*0.5A)
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
威伦
FM120-M
2SA1036KxLT1
THRU
FM1200-M
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
•
低调的表面安装，以便应用程序
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
优化电路板空间。
低功耗
•
参数
损失，效率很高。
符号
分钟。
典型值。
•
高电流能力，低正向电压降。
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
—
40
—
•
高浪涌能力。
集电极 - 发射极击穿电压
BV
首席执行官
— 32
—
•
Guardring过电压保护。
发射极 - 基极击穿电压
—5
—
•
超高速开关。
BV
EBO
•
硅外延
收藏家Cuto FF电流
平面芯片，金属硅交界处。
—
I
CBO
—
•
无铅零件符合环保标准
马克斯。
—
—
—
—1
—1
— 0.4
390
—
—
,
单位
V
V
V
µA
µA
V
—
MH
Z
pF
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
条件
0.012 （ 0.3 ）典型值。
I
C
= — 100µA
IC = - 1毫安
I
E
= — 100µA
V
CB
= — 20v
V
EB
= — 4V
I
C
/I
B
= - 100毫安/ - 10毫安
V
CE
= - 3V ， IC = - 10毫安
0.071(1.8)
0.056(1.4)
辐射源
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
截止目前
I
EBO
—
—
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
—
无卤素产品的包装代号后缀"H"
直流电流传输口粮
h
FE
120
过渡频
f
T
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
输出电容
COB
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
—
—
200
7
机械数据
—
—
0.040(1.0)
V
CE
= - 5V ，我
E
=20mA,f=100MHz
V
CB
= - 10V ，我
E
=0A,f=1MHz
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
FhFE
值被分类如下。
方法2026
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
项
极性：由阴极频带指示
Q
R
•
的hFE
安装位置：任意
180~390
120~270
•
尺寸以英寸（毫米）
•
重量：的逼近0.011克
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
