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2N7002LT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N7002LT1
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内容描述: 小信号MOSFET 115毫安, 60伏N沟道SOT- 23 [Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts N–Channel SOT–23]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 261 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
2N7002LT1
典型电气特性
2.0
1.8
I
D
,漏极电流( AMPS )
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0
6.0
7.0 8.0
V
DS ,
漏源极电压(伏)
T
A
= 25°C
V
GS
= 10 V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
9.0
10
I
D
,漏极电流( AMPS )
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0
V
DS
= 10 V
-o55C
°
125°C
25°C
0
1.0
2.0 3.0 4.0
5.0
6.0 7.0 8.0
V
GS ,
门源极电压(伏)
9.0
10
图1.欧姆区
图2.传输特性
r
DS ( ON) ,
静态漏源导通电阻
(归一化)
V
GS (TH )
阈值电压(归一化)
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-o60
-o20
+o20
+o60
T,温度( ° C)
+o100
V
GS
= 10 V
I
D
= 200毫安
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
-o60
-o20
+o20
T,温度( ° C)
+o60
+o100
+o140
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0毫安
0.7
+o140
图3.温度与静
漏源导通电阻
图4.温度与门
阈值电压