1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
ESD保护， SC- 89
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
30伏154毫安，单N通道，门
威伦
FM120-M
THRU
2N7002NT1
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
更好的反向漏电流和耐热性。
SOD-123H
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
0.146(3.7)
•
低功耗，
特征
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
电动
高英法fi效率。
0.130(3.3)
•
高电流能力，低正向电压降。
符号
测试条件
民
•
高浪涌能力。
参数
•
Guardring过电压保护。
开关特性
•
超高速开关。
电压
V
（ BR ） DSS
30
漏极至源极击穿
V
GS
= 0 V，I
D
= 100
mA
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
GS
= 0 V, V
DS
= 30 V
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
GS
= 0 V, V
DS
= 20 V,
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
T = 85
°C
无卤素产品的包装代号后缀"H"
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±10
V
0.012 （ 0.3 ）典型值。
典型值
0.071(1.8)
0.056(1.4)
最大
单位
V
1.0
1.0
±25
mA
mA
mA
mA
mA
机械数据
GSS
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
栅极 - 源极漏电流
I
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±5
V
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
±1.0
±1.0
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±5
V
T = 85
°C
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
•
•
重量：的逼近0.011克
正向跨导
基本特征
（注2 ）
方法2026
栅极阈值电压
极性：由阴极频带指示
漏极至源极导通电阻
安装位置：任意
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100
mA
尺寸以英寸（毫米）
0.5
1.0
1.4
2.3
80
1.5
7.0
7.5
V
W
mS
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 154毫安
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 154毫安
电容
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
输入电容
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
输出电容
对于容性负载，减免电流20 ％
反向传输电容
评级
标识代码
开关特性
（注3）
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
最大RMS电压
最大额定值和电气特性
C
国际空间站
C
OSS
13
30
t
D（上）
21
t
r
30
t
D（关闭）
14
40
28
g
FS
V
DS
= 3 V，I
D
= 154毫安
11.5
V
DS
= 5.0 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0 V
15
50
16
60
18
80
10
100
70
100
10
115
150
105
150
pF
120
200
ns
140
200
ns
C
RSS
3.5
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
12
20
14
20
伏
伏
伏
安培
导通延迟时间
上升时间
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
关断延迟时间
下降时间
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
t
f
漏源二极管特性
35
42
56
4.5
40
V
GS
=
50
V, V
DS
= 5.0 V,
80
60
I
D
= 75毫安，R
G
= 10
W
1.0
30
13
15
98
60
安培
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.154毫安
40
R
θJA
120
2.脉冲测试：脉冲宽度
典型结电容（注1 ）
v
300
女士，
占空比
v
2%.
C
J
3.开关
范围
特点是独立的
T
的工作结温。
-55到+125
工作温度
J
正向二极管
（注2 ）
典型热阻
电压
存储温度范围
TSTG
0.77
0.9
V
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
毫安
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
