威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
小信号MOSFET 115毫安， 60伏
特点
电气特性
（大
性。
更好的反向漏电流和热
= 25 ° C除非另有说明）
•
低调的表面安装，以便应用程序
特征
符号
优化电路板空间。
开关特性
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
(V
GS
=
能力。
•
高浪涌
0, I
D
= 10
μAdc ）
•
Guardring过电压保护。
零栅极电压漏极电流
T
J
= 25°C
I
DSS
•
超高速
= 60 VDC ）
(V
GS
= 0, V
DS
切换。
T
J
= 125°C
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
门体漏
环境的
I
GSSF
•
无铅零件符合
目前，正向
标准
(V
GS
= 20 V直流）
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品
漏电流，
后缀"G"
•
门体
包装代码
反向
I
GSSR
无卤
–
产品包装代号后缀"H"
(V =
20伏直流）
FM120-M
THRU
2N7002DW1T1
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123H
民
典型值
0.146(3.7)
0.130(3.3)
最大
单位
60
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.012 （ 0.3 ）典型值。
–
VDC
μAdc
µ
ADC
µ
ADC
0.071(1.8)
0.056(1.4)
1.0
500
1
-1
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
GS
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
栅极阈值电压
•
案例：
DS
= V
GS
,
塑料， SOD- 123H
(V
模压
I
D
= 250
μAdc ）
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
通态漏电流
方法2026
(V
DS
≥
2.0 V
DS （ ON）
, V
GS
= 10 VDC ）
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
0.031 （ 0.8 ）典型值。
1.0
500
–
–
2.0
–
VDC
mA
VDC
0.031 （ 0.8 ）典型值。
I
D（上）
V
DS （ ON）
•
极性
漏源通态电压
STATIC
：由阴极频带指示
(V
GS
= 10 VDC ，
:
= 500
•
安装位置
I
D
任何
MADC ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 50 MADC ）
•
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
–
–
–
–
–
–
–
–
–
3.75
0.375
7.5
13.5
7.5
13.5
–
标识代码
静态漏源导通电阻
r
DS （ ON）
T
C
= 25°C
–
(V
GS
= 10 V，I
D
= 500 MADC ）
和电气特性
最大额定值
T
C
= 125°C
–
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 50 MADC ）T
C
= 25°C
–
单相半波，60赫兹，电感电阻
125°C
–
T
C
=
负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
正向跨导
g
FS
80
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 -MH
评级
(V
DS
≥
2.0 V
DS （ ON）
, I
D
= 200 MADC ）
欧
FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
毫姆欧
输入电容
最大RMS电压
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
最大直流阻断电压
最大的经常峰值反向电压
动态特性
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
12
20
14
13
30
21
14
40
28
40
15
50
C
国际空间站
35
16
60
60
42
–
–
1.0
–
30
40
120
–
18
80
56
–
–
–
10
100
70
100
50
25
115
150
105
150
120
200
pF
140
200
pF
伏
伏
伏
安培
最大正向平均整流电流
兆赫）
（ V = 25伏，V = 0 ， F = 1.0
DS
GS
输出电容
20
30
50
C
OSS
80
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
反向传输电容
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0, f =
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
1.0兆赫）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
C
RSS
5.0
pF
安培
℃/W
典型热阻
特征
（注2 ）
R
θJA
开关
（注2 ）
t
D（上）
t
D（关闭）
V
SD
I
S
I
SM
导通延迟时间
关断延时
存储温度范围
时间
C
J
(V
DD
= 25伏直流，我
D
^
500 MADC ，
+125
-55〜
T
J
R
G
= 25
Ω,
R
L
= 50
Ω,
V
根
= 10 V)
TSTG
–
-
65
到+175
–
–
20
-55到+150
–
40
ns
ns
PF
℃
℃
体漏二极管额定值
二极管正向导通电压
最大正向电压在1.0A DC
(I
S
= 11.5 MADC ，V
GS
= 0 V)
特征
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
I
R
0.50
0.70
–
0.85
–
–
–1.5
0.9
VDC
0.92
伏
毫安
源电流连续
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
（体二极管）
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
0.5
–
10
–115
–800
MADC
MADC
源电流脉冲
–
2-热阻结点到环境
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比
≤
2.0%.
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
