欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

1N4148W 参数 Datasheet PDF下载

1N4148W图片预览
型号: 1N4148W
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: SOD- 123塑封装二极管 [SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes]
分类和应用: 二极管光电二极管IOT
文件页数/大小: 3 页 / 375 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号1N4148W的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N4148W的Datasheet PDF文件第3页  
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
快速开关二极管
特点
工艺设计,出色的功耗报价
批量
更好的反向漏
开关速度快
电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
表面贴装型封装非常适合自动插入
优化电路板空间。
一般
低损耗,高
开关
低功耗
用途
EF网络效率。
应用
高电流能力,低正向电压降。
高电导
高浪涌能力。
无铅封装可用
Guardring过电压保护。
超高速
填料
符合RoHS的产品
切换。
代号后缀“G”
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
无卤素产品包装
标准
“H”
无铅零件符合环保
代号后缀
标记:
BAV16W=T6,1N4148W=T4
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
最大额定值和电气特性,单二极管@T
a
=25℃
机械数据
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
参数
符号
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
V
RM
非重复性峰值反向电压
峰值重复峰值反向电压
方法2026
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
SOD- 123塑封装二极管
特点
威伦
FM120-M
1N4148W
THRU
BAV16W
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123
SOD-123H
+
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
-
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.040(1.0)
0.024(0.6)
极限
0.031 ( 0.8 )典型值。
单位
0.031 ( 0.8 )典型值。
100
75
53
300
150
2.0
1.0
35
尺寸以英寸(毫米)
V
极性:由阴极频带指示
工作峰值反向电压
安装位置:任意
阻断电压DC
重量:的逼近0.011克
RMS反向电压
正向连续电流
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
FM
V
mA
mA
V
最大额定值和电气特性
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波, 60赫兹,电阻
I
O
平均整流输出电流
感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
峰值正向浪涌电流@ T =是1.0μs
评级
标识代码
最大RMS电压
@t = 1.0S
A
I
FSM
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
V
Pd
RRM
V
RMS
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
500
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
mW
105
120
200
140
200
最大的经常峰值反向电压
功耗
最大直流阻断电压
VOL
热阻
连接点
to
环境
伏特
R
DC
V
θJA
I
O
 
T
j
I
FSM
250
50
150
-55~+150
℃/W
150
伏特
最大正向平均整流电流
 
Am
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
结温
 
储存温度
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
典型热阻(注2 )
T
英镑
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
符号
 
 
Am
电气额定值@ TA = 25 ℃
典型结电容(注1 )
工作温度范围
 
-55到+125
 
-55到+150
℃/W
PF
 
最大
0.715
单位
V
参数
存储温度范围
典型值
-
65
到+175
条件
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
F1
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 -MH
F
FM1100-MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UNI
V
I = 1毫安
F
正向电压
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
V
V
F2
F
0.50
0.855
0.70
V
@T A = 125 ℃
V
F3
V
F4
I
R1
I
R
0.5
10
0.85
I = 10毫安
0.9
0.92
 
VOL
1.0
1.25
1
25
2
4
V
V
μA
nA
pF
ns
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=75V
V
R
=20V
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100Ω
MAM
注意事项:
2-热阻结点到环境
反向电流
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
 
I
R2
终端之间的电容
反向恢复时间
C
T
t
rr
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。