IRF640
电气特性
(T
A
= 25℃
特征
除非另有说明）
符号
民
典型值
最大
单位
STATIC
漏源击穿电压
I
D
=250µA,V
GS
=0
门源阈值电压
I
D
=250µA,V
DS
=V
GS
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=±20V
汲极SourceLeakage电流（ TJ = 25℃）
V
DS
=200V,V
GS
=0
汲极SourceLeakage电流（ TJ = 125℃ ）
V
DS
=160V,V
GS
=0
静态漏源导通电阻
I
D
=11A,V
GS
=10V
正向跨导
I
D
=11A,V
DS
=50V
正向电压上
I
S
= 18A ，V
GS
=0V,Tj=25˚C
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
200
2.0
-
-
I
DSS
-
R
DS （ ON）
-
-
-
250
0.18
Ω
-
-
-
-
-
V
4.0
±100
25
μA
nA
政府飞行服务队
V
SD
6.7
-
-
-
-
2.0
S
V
动态
输入电容
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f=1.0MHz
输出电容
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f=1.0MHz
反向传输电容
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f=1.0MHz
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
1300
430
130
-
-
-
pF
开关
导通延迟时间
I
D
= 18A ，V
DD
=100V,R
GS
=9.1 ,R
L
=5.4
上升时间
I
D
= 18A ，V
DD
=100V,R
GS
=9.1Ω,R
L
=5.4Ω
打开-O FF延迟时间
I
D
= 18A ，V
DD
=100V,R
GS
=9.1Ω,R
L
=5.4Ω
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
-
-
-
-
-
-
21
77
68
ns
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04-Nov-08
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