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    BC856B 参数 Datasheet PDF下载

    BC856B图片预览
    型号： BC856B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双PNP通用晶体管 [PNP Dual General Purpose Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 1006 K
    品牌： WEITRON [ WEITRON TECHNOLOGY ]
     浏览型号BC856B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC856B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC856B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC856B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC856B的Datasheet PDF文件第6页  
    BC856BDW系列
    电气特性
    开关特性
    集电极 - 发射极击穿电压
    I
    C
    =10mA
    BC856
    BC857
    BC858
    BC856
    BC857
    BC858
    BC856
    BC857
    BC858
    BC856
    BC857
    BC858
    V
    （ BR ） CEO
    -65
    -45
    -30
    -80
    -50
    -30
    -80
    -50
    -30
    -5.0
    -5.0
    -5.0
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -15
    -4.0
    V
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    符号
    民
    典型值
    最大
    单位
    特征
    集电极 - 发射极击穿电压
    V
    EB
    = 0V时，我
    C
    =-10µA
    发射极 - 基极击穿电压
    I
    C
    =-10µA
    V
    （ BR ） CES
    V
    V
    （ BR ） CBO
    V
    发射极 - 基极击穿电压
    I
    E
    =-1.0µA
    集电极电流Cuto
    V
    CB
    =-30V
    V
    CB
    = -30V ，T
    A
    =150°C
    V
    （ BR ） EBO
    V
    I
    CBO
    nA
    µA
    基本特征
    直流电流增益
    V
    CE
    = -5.0V ，我
    C
    = –10µA
    V
    CE
    = -5.0V ，我
    C
    = -2.0mA
    BC856B ， BC857B ， BC858C
    BC857C ， BC858C
    BC856B ， BC857B ， BC858C
    BC857C ， BC858C
    h
    FE
    -
    -
    220
    420
    150
    270
    290
    520
    -
    -
    -0.7
    -0.9
    -
    -
    -
    -
    450
    800
    -0.3
    -0.65
    -
    -
    -750
    -820
    -
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    = -0.5mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = ± 5.0毫安
    基射极饱和电压
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    = -0.5mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = ± 5.0毫安
    基射极电压
    V
    CE
    = -5.0V ，我
    C
    = -2.0mA
    V
    CE
    = -5.0V ，我
    C
    = -10mA
    V
    CE （ SAT ）
    -
    -
    -
    -
    -600
    -
    V
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    V
    mV
    小信号特性
    电流增益带宽积
    V
    CE
    = -5.0V ，我
    C
    = -10mA ， F = 100MHz的
    输出电容
    V
    CB
    = -10V ， F = 1.0kHz
    噪声系数
    fT
    COB
    NF
    100
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4.5
    10
    兆赫
    pF
    dB
    V
    CE
    = -5.0V ，我
    C
    = -0.2mA ，R
    S
    = 2.0K ， F = 1.0kHz ，B
    W
    = 200Hz的
    http://www.weitron.com.tw
    WEITRON
    2/6
    14-Nov-07

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