2SB772
2SD882
PNP / NPN外延平面晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
TO-126
1.EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
1
2
3
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
(1)
基极电流
总Cevice Disspation TA = 25℃
总Cevice Disspation TC = 25℃
结温
存储，温辐射
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
I
B（脉冲）
P
D
P
D
T
j
TSTG
PNP/2SB772
-30
-40
-5.0
-3.0
-7.0
-0.6
1.0
10
NPN/2SD882
30
40
5.0
3.0
7.0
0.6
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
ADC
W
W
°C
°C
150
-55到+150
器件标识
2SB772 = B772 ， 2SD882 = D882
ELECTORICAL特性
特征
收集发射极击穿电压（I
C
= -10 / 10 MADC ，我
B
=0)
收集 - 基极击穿电压（I
C
= -100 / 100 μAdc ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= -100 / 100 μAdc ，我
C
=0)
集电极截止电流（V
CE
= -30 / 30伏直流电，我
B
=0)
集电极截止电流（V
CB
= -40 / 40 VDC ，我
E
=0)
发射极截止电流（V
EB
= -6.0 / 6.0VDC ，我
C
=0)
注： 1.PW
≤
350us ，占空比
≤
2%
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
民
-30/30
-40/40
-5.0/5.0
-
-
-
最大
-
-
-
-1.0/1.0
-1.0/1.0
-1.0/1.0
单位
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
μAdc
WEITRON
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Rev.B的08月14日07
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