欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

WCMC1616V9X 参数 Datasheet PDF下载

WCMC1616V9X图片预览
型号: WCMC1616V9X
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1MB ×16伪静态RAM [1Mb x 16 Pseudo Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 214 K
品牌: WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
 浏览型号WCMC1616V9X的Datasheet PDF文件第1页浏览型号WCMC1616V9X的Datasheet PDF文件第2页浏览型号WCMC1616V9X的Datasheet PDF文件第3页浏览型号WCMC1616V9X的Datasheet PDF文件第5页浏览型号WCMC1616V9X的Datasheet PDF文件第6页浏览型号WCMC1616V9X的Datasheet PDF文件第7页浏览型号WCMC1616V9X的Datasheet PDF文件第8页浏览型号WCMC1616V9X的Datasheet PDF文件第9页  
超前信息
DC电气特性
(在整个工作范围内)
参数
VCC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
CE自动断电
当前
CMOS输入
F=0
GND < V
I
& LT ; VCC
GND < V
O
& LT ; Vcc时,输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
VCC = 3.3V ,
I
OUT
= 0毫安,
CMOS电平
测试条件
电源电压
I
OH
=
−1
mA
I
OL
= 2毫安
WCMC1616V9X
WCMC1616V9X-70
分钟。
典型值。
[8]
马克斯。
2.7
V
CC
- 0.4
0.4
0.8*V
CC
−0.4
−1
−1
13
2
100
V
CC
+ 0.4
0.4
+1
+1
17
3.5
525
3.3
单位
V
V
V
V
V
µA
µA
mA
I
SB1
CE > V
CCQ
0.2V ,CE
2
& LT ; 0.2V
V
IN
& GT ; V
CCQ
0.2V, V
IN
& LT ; 0.2V ,
f = f
最大
(地址和数据只) ,
F = 0 ( OE , WE , BHE和BLE )
CE > V
CCQ
0.2V ,CE
2
& LT ; 0.2V
V
IN
& GT ; V
CCQ
0.2V或V
IN
& LT ; 0.2V ,
F = 0,V
CC
=3.3V
µA
I
SB2
CE自动断电
当前
CMOS输入
80
150
µA
电容
[10]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫
V
CC
= V
CC (典型值)
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[10]
参数
θ
JA
θ
JC
描述
热阻(结到
环境)
热阻(结到
案例)
测试条件
静止的空气,焊接在一个3× 4.5英寸, 2层
印刷电路板
FBGA
55
17
单位
° C / W
° C / W
注意:
10.测试开始后设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 38-14027牧师**
第13 4