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WCMA2016U4B-FF55 参数 Datasheet PDF下载

WCMA2016U4B-FF55图片预览
型号: WCMA2016U4B-FF55
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内容描述: 128K ×16静态RAM [128K x 16 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 239 K
品牌: WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
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WCMA2016U4B
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间: 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间: 1 V / ns的
相当于:
产量
蛇毒等效
R
牛逼ħ
V
TH
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V
1.105
1.550
0.645
1.75
单位
千欧
千欧
千欧
数据保持特性
(在整个工作范围内)
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[5]
t
R[6]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.5V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
& LT ; 0.2V
0
70
条件
分钟。
1.5
0.5
典型值。
[4]
马克斯。
V
CCmax
7.5
单位
V
µA
ns
ns
数据保存波形
[7]
数据保持方式
V
CC
CE或
V
CC(分钟)
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC(分钟)
t
R
BHE .BLE
注意:
6.全部设备交流操作需要线性V
C C
从V坡道
DR
到V
CC(分钟)
& GT ; 100
µs
或稳定在V
CC(分钟)
& GT ; 100
µs.
7. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
4