WCMA2016U4B
开关特性
在整个工作范围
[8]
55ns
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE[10]
t
HZBE
写周期
[12]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BHE / BLE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[9, 11]
WE高到低Z
[9]
5
55
45
45
0
0
40
50
25
0
20
10
70
60
60
0
0
50
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[9]
OE高到高Z
[9, 11]
CE低到低Z
[9]
CE高到高阻
[9, 11]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
[9]
BHE / BLE高到高阻
[9, 11]
5
25
0
55
55
5
25
10
25
0
70
70
5
25
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
民
70纳秒
最大
单位
注意事项：
8.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
Ø ħ
和30 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
为
任何给定的设备。
10.如果两个字节使能切换起来这个数值为10ns
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
转换测量
当输出进入高阻抗状态。
12.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起和写入
所有这些信号都可以通过变为无效终止写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的边沿即
终止写..
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WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
