VIS
T0
T1
T2
CLK
DQM
初步
VG4632321A
524,288x32x2-Bit
CMOS同步图形RAM
T5
T6
T7
T8
T3
T4
命令
NOP
读了
NOP
NOP
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
DQ的
DOUT一
0
必须是高阻前
写命令
DINB
0
DINB
1
DINB
2
： “H”或“L”的
读到写的时间间隔（突发长度
°Ÿ
4 ， CAS延时= 3 ）
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
1间隔的Clk
DQM
命令
NOP
NOP
银行
激活
NOP
读了
写一个
NOP
NOP
NOP
CAS Iatency = 1
t
CK1
， DQ的
必须是高阻前
写命令
DIN一个
0
DIN一个
1
DIN一个
2
DIN一个
3
CAS Iatency = 2
t
CK2
， DQ的
DIN一个
0
DIN一个
1
DIN一个
2
DIN一个
3
： “H”或“L”的
读到写的时间间隔（突发长度
°Ÿ
4 ， CAS延时= 1 ， 2 ）
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
命令
NOP
NOP
读了
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
NOP
CAS Iatency = 1
t
CK1
， DQ的
DOUT一
0
必须是高阻前
写命令
DIN B
0
DIN B
1
DINB
2
DIN B
3
CAS Iatency = 2
t
CK2
， DQ的
DIN B
0
DIN B
1
DIN B
2
DIN B
3
： “H”或“L”的
读到写的时间间隔（突发长度
°Ÿ
4 ， CAS延时= 1 ， 2 ）
爆不带自动预充电功能的读取可以通过BankPrecharge /中断
PrechargeAll命令相同的银行。下图显示的最佳时间
BankPrecharge / PrechargeAll命令在不同的CAS延迟发出。
文件：
Rev.1
第8页
VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
