VIS
操作模式
命令
BankActivate &蒙面写禁止
BankActivate &蒙面写使能
BankPrecharge
PrechargeAll
写
块写命令
写和AutoPrecharge
块写入和AutoPrecharge
读
阅读和AutoPrecharge
模式寄存器设置
特殊模式寄存器设置
无操作
突发停止
设备取消
自动刷新
SelfRefresh入口
SelfRefresh退出
状态
空闲
(3)
空闲
(3)
任何
任何
初步
VG4616321B/VG4616322B
262,144x32x2-Bit
CMOS同步图形RAM
完全同步操作执行到锁存命令在CLK的上升沿。表2
示出了用于该操作的命令的真值表。
表2.真值表（注（1 ），（ 2））的
CKEN - 1 CKEN DQM
(7)
BS
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
V
V
X
V
V
V
V
V
V
V
X
X
X
X
X
X
X
A9
V
V
L
H
L
L
H
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
X
A0-8
V
V
X
X
V
V
V
V
V
V
V
V
X
X
X
X
X
X
CS
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
H
L
H
H
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
时钟挂起模式退出
掉电模式退出
活跃
任何
（电源 -
下）
活跃
活跃
L
L
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
H
H
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
RAS CAS
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
X
L
L
X
H
X
X
H
X
X
H
X
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
X
L
L
X
H
X
X
H
X
X
H
X
X
WE
H
H
L
L
L
L
L
L
H
H
L
L
H
L
X
H
H
X
H
X
X
H
X
X
H
X
X
DSF
L
H
L
L
L
H
L
H
L
L
L
H
X
L
X
L
L
X
X
X
X
L
X
X
L
X
X
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
空闲
空闲
(5)
任何
活跃
(4)
任何
空闲
空闲
空闲
（ SelfRefresh ）
时钟挂起模式进入
掉电模式进入
活跃
任何
(6)
数据写入/输出使能
数据写入/输出禁止
注：1， V =有效的x =无关L =低电平H =高电平
2. CKEN信号提供命令时，输入电平。
CKEN -1信号被输入一个级别时钟周期中提供的命令之前。
3.这是由BS信号指定银行的状态。
4.设备状态为1 ，2，4 ，8，和全页突发操作。
5.特别模式寄存器设置也行活动状态可用。
6.省电模式可在没有突发的操作项。
当这个命令，在突发周期断言，设备状态时钟挂起模式。
7. DQM0-3
文档： 1G5-0145
Rev.1
第6页
VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
