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    VG37648041AT 参数 Datasheet PDF下载

    VG37648041AT图片预览
    型号： VG37648041AT
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    内容描述： 256M ： X4，X8 ， X16 CMOS同步动态RAM [256M:x4, x8, x16 CMOS Synchronous Dynamic RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 86 页 / 964 K
    品牌： VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号VG37648041AT的Datasheet PDF文件第9页  
    VIS
    模式为这些DDR设备。
    初步
    VG37648041AT
    256M ： X4，X8 ， X16
    CMOS同步动态RAM
    注意：所述的功能性，并且定时规范包含在该数据
    表是操作的DLL启用模式。这是唯一的正常操作
    特点
    •双数据速率的架构：每个时钟周期两个数据传输
    •双向，间歇数据选通（ DQS）被发送/与数据接收的，所用
    在接收器采集数据
    • DQS是边沿对齐进行数据读取：中心对齐与写入数据
    •差分时钟输入（ CLK和CLK ＃ ）
    • DLL对齐DQ和DQS转换与过渡CLK
    •进入每个积极CLK边缘的命令;参考DQS的两个边缘数据
    •四个内部银行的并发操作
    •数据掩模（DM）写入数据
    •突发长度： 2,4 ，或8
    • CAS延迟： 2或2.5
    •自动预充电选项，每个突发访问
    •自动刷新和自刷新模式
    • 7.81us自动刷新间隔
    • 2.5V （ SSTL_2兼容）I / O
    • VDDQ = 2.5V +
    • VDD = + 3.3V
    ±
    0.2V
    ±
    0.3V
    文档： 1G5-0157
    Rev.1
    第2页

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