VIS
绝对最大额定值
s
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
DD
V
DDQ
V
I
V
O
I
O
P
D
T
选择
T
英镑
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS同步动态RAM
条件
相到V
SS
相到V
SSQ
相到V
SS
相到V
SSQ
T
a
= 25 °C
价值
-0.5到4.6
-0.5到4.6
-0.5到V
DD
+0.5
-0.5到V
DDQ
+0.5
50
1
0到70
-65到150
单位
V
V
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会造成永久性的损害。该
设备并不意味着在此操作部分中描述的限制之外的条件下进行操作
规范。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件（T
a
= 0〜70 ℃，除非另有说明）
参数
电源电压
电源电压DQ
地
地面DQ
高电平输入电压（所有输入）
低电平输入电压（所有输入）
符号
V
DD
V
DDQ
V
SS
V
SSQ
V
IH
V
IL
范围
分钟。
3.0
0
3.0
0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
0
3.3
0
马克斯。
3.6
0
3.6
0
V
DD
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
引脚电容（钽= 0 〜 70 ° C，V
DD
= V
DDQ
= 3.3
±
0.3V , V
SS
= V
SSQ
= 0V时，除非另有说明）
参数
输入电容，地址&控制引脚
输入电容， CLK引脚
数据输入/输出电容
符号
C
IN
C
CLK
C
I / O
民
2.5
2.5
4.0
最大
3.8
3.5
6.5
单位
pF
pF
pF
文档： 1G5-0177
Rev.2
第5页
VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
