VG36644041DT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36644041DT
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	69 页 / 1363 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VIS

测试条件

交流输入电平（V

)

输入上升和下降时间

2.0 / 0.8V

1ns

VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT

CMOS同步动态RAM

AC特性（Ta = 0 〜 70 ° C，V

= V

DDQ

= 3.3

0.3V , V

= V

SSQ

= 0V时，除非另有说明）

输入定时基准水平/

输出时序参考电平

输出负载条件

1.4V

50pF

注）： 1.如果时钟上升时间小于1ns的时间越长，（文/ 2-0.5ns ）应该被添加到该参数。

输出负载条件

DDQ

OUT

DDQ

Z = 50

Ω

50PF

设备

下

TEST

文档： 1G5-0177

Rev.2

第7页

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