VG36643241BT-10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36643241BT-10
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	72 页 / 977 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VIS

测试条件为LVTTL兼容：

初步

VG3664321(4)1(2)BT

CMOS同步动态RAM

A. ç特点：（大= 0 〜70 ℃， V

= 3.3V

0.3V

= 0V)

输入定时基准水平/

输出时序参考电平

输出负载条件

1.4V

50pF

交流输入电平（V

)

输入上升和下降时间

2.0/0.8V

1ns

AC测试负载电路（用于LVTTL接口）：

1.4V

DDQ

OUT

DDQ

Ω

Z = 50

Ω

50PF

设备

下

TEST

测试条件为SSTL - 3接口

输入Hihg （分钟） /输入低（最大值）电压

VREF + 0.4V /输入参考电压

（ VREF ）

VREF - 0.4V

定时输出信号0.45 X VDDQ输入信号MAX的参考电平。压摆率

输入信号MAX 。峰峰值摆幅

2.0V

输出电路

分钟。所需的输出拉 - 起来交流下

测试负载

VTT + 0.8V

分钟。所需的输出拉 -

倒在交流测试负载

0.45 X VDDQ

1V/ns

看到网络连接gure

下面

VTT - 0.8V

AC测试负载电路（用于SSTL - 3接口）：

DDQ

REF

DDQ

0.45 * V

DDQ

= 0.45 * V

DDQ

RT2 = 50欧姆

OUT

RS = 25Ohms

Z = 50欧姆

VIN

设备

下

TEST

RT1 = 50欧姆

负载

= 30 pF的

= 0.45 * V

DDQ

REF

= 0.45 * V

文档： 1G5-0099

Rev.1

第7页

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