VG36256161A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36256161A
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	69 页 / 943 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VIS

符号

RCD

RRD

RAS

CK2

CK3

AC2

AC3

CCD

HZ2

HZ3

SRX

PDE

RSC

DPL

DAL2

DAL3

BDL

REF

在最后的数据以突发停止

刷新时间（

8,192刷新周期）

数据输出高阻抗

数据/地址/控制输入建立时间

数据/地址/控制输入保持时间

时钟周期时间

时钟高电平时间

时钟低电平时间

从CLK访问时间

（上升沿）

CLK的转换时间（上升和下降）

CAS到CAS延迟时间

数据输出保持时间

数据输出低阻抗

行周期时间

RAS到CAS延迟

交流参数

初步

VG36256401A

VG36256801A

VG36256161A

CMOS同步动态RAM

A.C特点：（大= 0 〜70 ℃， V

= 3.3V

0.3V, V

= 0V)

-75

分钟。

37.5

CL2

CL3

7.5

2.25

CL2

CL3

CL2

CL3

0.5

CL2

CL3

2clk+t

100,000

马克斯。

分钟。

-8H

马克斯。

单位

记

预充电刷新/行激活命令

行激活到行激活延迟

行激活到预充电时间

100,000

CLK

最小CKE “高”的自刷新退出

掉电退出时间设置

模式寄存器设置循环

数据进行预充电

数据在行动（ REF ）命令

CLK

1clk+t

文档： 1G5-0155

Rev.1

第7页

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