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VG3617801BT-8H 参数 Datasheet PDF下载

VG3617801BT-8H图片预览
型号: VG3617801BT-8H
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内容描述: 16Mb的CMOS同步动态RAM [16Mb CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 68 页 / 1004 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
A.C特点:
测试条件:
(大= 0 〜70 ℃, V
DD
=3.3V
±
0.3V ,V
SS
=0V)
VG3617801CT
16Mb的CMOS同步动态RAM
交流输入电平(V
IH
/V
IL
)
输入上升和下降时间
参数
CAS
潜伏期
3
2
3
2
2.0/0.8V
1ns
输入定时基准水平/
输出时序参考电平
输出负载条件
1.4V
50pF
单位
符号
t
Ck3
t
Ck2
t
AC3
t
AC2
t
CH
t
CL
t
中正
t
长实
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
CMS
t
CMH
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
RRD
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
BDL
t
DAL
t
DPL
t
T
t
RSC
t
PDE
t
SRX
t
REF
CLK周期时间
CLK到有效输出延迟
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
CKE建立时间
CKE保持时间
地址建立时间
地址保持时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
命令设置时间
命令保持时间
输出数据保持时间
CLK到输出中低Z
CLK输出在高阻
行积极主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
行周期时间
在最后的数据以突发停止
数据在行动( REF )
命令(自动预充电)
数据进行预充电
转换时间
模式寄存器。集周期
掉电退出设置时间
自刷新退出时间
刷新时间
VG3617801CT
-8H
-8L
-10
最大
最大
最大
10
10
10
10
13
15
6
6
8
6
7
8
3
3
4
3
3
4
3
3
3
1
1
1
2
2
3
1
1
1
2
2
3
1
1
1
2
2
3
1
1
1
3
3
3
0
0
0
3
8
3
8
3
8
20
20
20
20
20
26
20
20
26
50
120,000
50
120,000
60
120,000
70
70
86
1 CLK
1 CLK
1 CLK
1CLK+t
RP
1CLK+t
RP
1CLK+t
RP
1 CLK
1
2 CLK
8
8
1 CLK
1
2 CLK
8
8
1 CLK
1
2 CLK
8
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
10
10
10
32
32
32
文档: 1G5-0133
Rev.1
第6页