VIS
2.Truth表
命令2.1真值表
VG3617161ET
1,048,576 ×16 - 位
CMOS同步动态RAM
功能
设备取消
无操作
模式寄存器设置
银行激活
读
阅读与自动预充电
写
写带自动预充电
预充电选择银行
预充电所有银行
突发停止
符号
DESL
NOP
太太
法案
读
READA
WRIT
WRITA
PRE
PALL
BST
CKE
n-1
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
n
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS
X
H
L
L
H
H
H
H
L
L
H
CAS
X
H
L
H
L
L
L
L
H
H
H
WE
X
H
L
H
H
H
L
L
L
L
L
A11
X
X
L
BS
(2)
BS
(2)
BS
(2)
BS
(2)
BS
(2)
BS
(2)
X
X
A10
X
X
L
ROW
L
H
L
H
L
H
X
A9-
A0
X
X
V
ROW
COL
(1)
COL
(1)
COL
(1)
COL
(1)
X
X
X
注： （ 1 ）列地址： A0 〜 A7
（ 2 ） BS ：银行选择。 L表示银行A及H指银行B.
2.2 DQM真值表
CKE
功能
数据写入/输出使能
数据面膜/输出禁止
高字节写使能/输出使能
低字节写使能/输出使能
高字节写禁止/输出禁止
低字节禁止/输出禁止
符号
ENB
面膜
ENBU
ENBL
马斯库
MASKL
n-1
H
H
H
H
H
H
n-1
X
X
X
X
X
X
DQM
UDQM
LDQM
L
H
L
X
X
L
H
X
X
H
2.3 CKE真值表
当前状态
激活
任何
时钟暂停
空闲
空闲
自刷新
空闲
掉电
功能
时钟挂起模式进入
时钟暂停
时钟挂起模式退出
CBR刷新命令
自刷新进入
自刷新退出
断电进入
掉电退出
符号
REF
自
CKE
n-1
n
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
H
L
H
H
L
L
H
CS
X
X
X
L
L
L
H
X
X
RAS
X
X
X
L
L
H
X
X
X
CAS
X
X
X
L
L
H
X
X
X
WE
X
X
X
H
H
H
X
X
X
添加 -
RESS
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H：高电平，L ：低电平，X ：高或低的水平（别护理） ，V ：有效数据输入
t
文档： 1G5-0189
Rev.1
第9页
VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
