VIS
注意：
初步
VG3617161DT
16Mb的CMOS同步动态RAM
1.强调高于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。
2.所有电压参考V
SS
.
3.这些参数取决于循环率，并且这些值都是由循环速率下的t的最小值测量
CK
和T
RC
。输入信号吨期间一次改变
CK
。假设有吨中只有一个读/写周期
RC
（最小值） 。
4.这些参数依赖于输出负载。指定的值与输出开路获得。
5.假设最小列地址的更新周期T
CCD
（最小值） 。
6.上电顺序附注10所述。
7.交流测试条件
输出信号的参考电平
输出负载
输入信号电平
转换时间输入信号（上升和下降）
输入信号的参考电平
1.4V / 1.4V
参考下输出负载（B ）
3.0V / 0.0V
1ns
1.4V
3.3V
1.2K
Ω
产量
产量
1.4V
50
Ω
ZO=50
Ω
30pF
30pF
870
Ω
LVTTL的直流测试负载（ A）
LVTTL交流测试负载（B ）
8.过渡时间V之间测量
IH
和V
IL
。输入信号的跳变（上升和下降）是固定的斜率（ 1纳秒） 。
9. t
HZ
限定在其中的输出达到开路状态，并且不参考电平的时间。
10.电顺序
电时，必须按以下顺序进行。
1）功率必须施加到V
DD
和V
DDQ
（同时）当所有的输入信号保持“NOP ”状态，
CKE =“ H”时， DQM = “H”。在CLK信号必须在同一时间开始。
2 ）上电后，对200U secouds最小暂停是必要的。然后，建议DQM的被保持
“高” （V
DD
电平） ，以确保DQ的输出是在高阻抗状态。
3 ）银行都必须进行预充电。
4 ）模式寄存器设置命令必须置为初始化模式寄存器。
文档： 1G5-0160
Rev.1
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VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
