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VG36128161BT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: VG36128161BT
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内容描述: CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 68 页 / 1356 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
引脚功能
符号
CLK
CKE
输入
输入
输入
VG36128401BT / VG36128801BT / VG36128161BT
CMOS同步动态RAM
功能
Maste时钟:其它输入信号referenecd到CLK上升沿。
时钟使能: CKE高激活,并且CKE低停用内部时钟信号,
装置的输入缓冲器和输出驱动器。停用时钟提供了预充电
掉电和自刷新操作(所有银行闲置) ,或ACTIVE POWER的
DOWN (行积极参与任何银行) 。
芯片选择: / CS启用(注册LOW )和禁用(注册HIGH )的COM
命令解码器。当/ CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 / CS提供
就与多家银行系统外的银行选择。 / CS被认为是部分
的命令代码。
输入命令: / RAS , / CAS和/ WE (连同/ CS )定义的命令是
输入。
地址输入:提供行地址为ACTIVE命令,并且列
地址和自动预充电位读/写命令,选择一个某些地区可能
化在各个银行的存储器阵列的。
行地址由A0 -A11指定。
列地址由A0 -A9 ,A11 (X4) / A0 -A9 ( X 8 )指定/ A0 -A8 ( X16 )
银行地址输入: BA0和BA1确定哪个银行的积极,读,写或
预充电命令被应用。
嚣面膜/输出禁止:当DQM是高突发写入,DIN当前周期
蒙面。当DQM是很高的突发读取, Dout为禁用的,但在下一个周期。
数据输入/输出:数据总线。
/ CS
输入
/ RAS , / CAS ,
/ WE
A0 - A13
输入
输入
BA0,BA1
DQM , UDQM ,
LDQM
DQ0 - DQ15
V
DD,
V
SS
V
DDQ ,
V
SSQ
输入
输入
I / O
供应电源的存储器阵列和外围电路。
供应电源被提供给仅输出缓冲器。
文档: 1G5-0183
Rev.1
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