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VG36128161A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: VG36128161A
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内容描述: CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 69 页 / 940 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
参数
工作电流
预充电待机
目前在电力
Down模式
预充电待机
目前在增设无
Down模式
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC2N
符号
I
CC1
初步
VG36128401A
VG36128801A
VG36128161A
CMOS同步动态RAM
直流特性(推荐工作条件,除非另有说明)
-75
测试条件
突发长度= 1
一个活跃的银行
t
RC
t
RC (分钟)
,木卫一= 0毫安
x4
x8
x16
最大
120
125
135
2
2
20
-8H
最大
100
105
115
2
2
20
单位
mA
笔记
1
V
IL (MAX )。
t
CK
=最小值。
CKE
V
IL (MAX )。
t
CK
=
CKE
CKE
V
IH ( MIN 。 )
t
CK
=最小值。
CS
V
IH ( MIN 。 )
输入信号被改变1
在2 CLK周期时间。
mA
mA
I
CC2NS
CKE
V
IH ( MIN 。 )
t
CK
=
CLK
V
IL (MAX )。
输入信号是稳定的。
7
7
当前待机模式电流I
CC3P
当道
I
CC3PS
Down模式
主动待机
I
CC3N
目前在增设无
Down模式
V
IL (MAX )。
t
CK
=最小值。
CKE
V
IL (MAX )。
t
CK
=
CKE
CKE
V
IH ( MIN 。 )
t
CK
=最小值。
CS
V
IH ( MIN 。 )
输入信号被改变1
在2clks时间
CKE
V
IH ( MIN 。 )
t
CK
=
CLK
V
IL (MAX )。
输入信号是稳定的。
7
5
30
7
5
30
mA
mA
I
CC3NS
20
20
工作电流
(突发模式)
刷新当前
自刷新电流
输入电流Ieakage
(输入)
Intput漏电流
( I / O引脚)
输出低电压
输出高电压
I
CC4
t
CK
t
CK ( MIN 。 )
IO = 0毫安
所有银行都主动
t
RC
= 4×牛逼
RC (分钟)
CKE
0.2V
V
IN
0, V
IN
V
DD ( MAX 。 )
被测= 0V引脚不
V
OUT
0, V
OUT
I
OL
= 2毫安
I
OH
= -2mA
x4
x8
x16
I
CC5
I
CC6
l
LI
l
LO
V
OL
V
OH
115
130
160
190
1
-1
-1.5
1
1.5
0.4
2.4
2.4
-1
-1.5
105
120
150
190
1
1
1.5
0.4
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
2
3
V
DD ( MAX 。 )
DQ # H中 - Z., Dout的残疾人
4
4
注:1。我
CC1
取决于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
除了这一点,我
CC1
测量条件是地址吨过程中改变只有一次
CK ( MIN 。 )
.
2. I
CC4
取决于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
除了这一点,我
CC4
测量条件是地址吨过程中改变只有一次
CK ( MIN 。 )
.
3. I
CC5
测量条件是地址吨过程中改变只有一次
CK ( MIN 。 )
.
4.对于LVTTL兼容。
文档: 1G5-0154
Rev.1
第5页