VIS
真值表
地址
功能
RAS
待机
阅读： WORD
阅读：低字节
H
L
L
LCAS
H
→
X
L
L
UCAS
H
→
X
L
H
WE
X
H
H
OE
X
L
L
ROW
X
ROW
ROW
COL
X
COL
COL
VG26(V)(S)18165C
1,048,576 ×16 - 位
CMOS动态RAM
DQ
S
高-Z
数据输出
低字节：数据输出
高字节：高阻
低字节：高阻
高字节：数据输出
数据在
笔记
阅读：高字节
L
H
L
H
L
ROW
COL
WRITE ： WORD
（早期写）
WRITE ： LOWER
BYTE （早期）
WRITE ： UPPER
BYTE （早期）
读写
分页模式
读
第一个周期
第二个周期
分页模式
写
第一个周期
第二个周期
分页模式
READ-
写
隐
刷新
第一个周期
第二个周期
读
写
RAS -ONLY刷新
CBR刷新
L
L
L
L
X
ROW
COL
L
L
H
L
X
ROW
COL
低字节：数据在
高字节：高阻
低字节：高阻
高字节：数据输入
数据输出，数据输入
数据输出
数据输出
数据在
数据在
数据输出，数据输入
数据输出，数据输入
数据输出
数据在
高-Z
高-Z
4
1,2
2
2
1
1
1,2
1,2
2
1,3
L
H
L
L
X
ROW
COL
L
L
L
L
L
L
L
L
→
H
→
L
L
→
H
→
L
L
H
→
L
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
L
L
H
L
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
L
L
H
L
H
→
L
H
H
L
L
H
→
L
H
→
L
H
L
X
H
L
→
H
L
L
X
X
L
→
H
L
→
H
L
X
X
X
ROW
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
ROW
ROW
X
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
不适用
X
注：1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是LCAS或UCAS主动） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是LCAS或UCAS主动） 。
3.早期只写。
4.至少一个两个CAS信号必须是活动的（LCAS或UCAS） 。
文档： 1G5-0147
Rev.1
第4页
VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
