128Mb的同步DRAM
P2V28S20ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行8,388,608 - WORD ×4位）
P2V28S30ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行4,194,304 - WORD ×8位）
P2V28S40ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行2,097,152 - WORD ×16位）
命令真值表
命令
DESELECT
无操作
行地址输入&
银行主动
单个组预充电
预充电所有银行
列地址条目
&Write
列地址输入&
写带自动预充电
列地址条目
＆放大器;读
列地址输入&
阅读自动预充电
自动刷新
自刷新进入
助记符
DESEL
NOP
法案
PRE
PREA
写
写一个
读
READA
REFA
REFS
CKE
n-1
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
CKE
n
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
H
H
X
X
/ CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
/ RAS / CAS
X
H
L
L
L
H
H
H
H
L
L
X
H
H
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
H
H
L
/ WE BA0,1 A1 1
X
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
H
L
L
X
X
V
V
X
V
V
V
V
X
X
X
X
X
L
X
X
V
X
X
V
V
V
V
X
X
X
X
X
L
A1 0
X
X
V
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
L
A0-9
X
X
V
X
X
V
V
V
V
X
X
X
X
X
V*1
自刷新退出
REFSX
L
BURST TERMINATE
模式寄存器设置
TBST
太太
H
H
H =高电平， L =低的水平， V =有效， X =无所谓， N = CLK周期数
注意：
1. A7 -A9 = 0 ， A0 - A6 =模式地址
JULY.2000
Page-6
Rev.2.2
VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
