VG36641641DT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36641641DT
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	69 页 / 1363 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT

CMOS Synchronous Dynamic RAM

VIS

Auto Refresh (CBR)

Burst Length=4, CAS Latency=2

T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22

CLK

CKE

CK2

RAS

CAS

*BS0, 1

A10

RAa

CAa

RAa

ADD

DQM

Hi-Z

Activate

Command

Read

Command

Precharge

Command

All Banks

CBR Refresh

Command

CBR Refresh

Command

* BS1=”L”, Bank C,D = Idle

Document :1G5-0177

Rev.2

Page40

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