VG36646141BT-8 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36646141BT-8
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	70 页 / 973 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

Preliminary

VG36641641BT

CMOS Synchronous Dynamic RAM

VIS

Byte Write Operation

Burst Length = 4, CAS Latency = 2

T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22

CLK

CK2

High

CKE

RAS

CAS

A10

RAa

CAa

CAz

RAa

CAb

ADD

LDQM

UDQM

Hi-Z

DQ0~DQ7

Hi-Z

DQ8~DQ15

Lower Byte

is masked

Read

Command

Bank A

Lower Byte

is masked

Upper Byte

is masked

Read

Command

Bank A

Write

Activate

Command

Bank A

Write Upper

is masked

Lower Byte

is masked

Command

Bank A

Document : 1G5-0127

Rev2

Page64

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