VG36128401BT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG36128401BT
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内容描述：	CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	68 页 / 1356 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VG36128401BT / VG36128801BT / VG36128161BT

CMOS Synchronous Dynamic RAM

VIS

Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)

T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22

CLK

CKE

High level

is required

RSC

Minimum of 8 Refresh Cycles are required

RAS

CAS

BS0, 1

A10

Address Key

ADD

DQM

High Level is Necessary

Hi-Z

2nd Auto

Refresh

Command

Set Command

Precharge

Command

All Banks

Mode

1st Auto

Refresh

Command

Inputs

must

be stable

for 200us

Document :1G5-0183

Rev.1

Page33

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