VG26VS17405FJ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG26VS17405FJ
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内容描述：	4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM [4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	27 页 / 245 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VIS

DC Characteristics; 5- Volt Verion

= 0 to + 70 °C

= + 5V

10 ,V

= 0V)

Parameter

Symbol

Test Conditions

VG26(V)(S)17405

-5

Min

Operating current

CC1

RAS cycling

CAS, cycling

= min

TTL interface

RAS, CAS = V

Dout = High-Z

CMOS interface

Standby

Current

CC2

Standard

power

version

RAS,

CAS

≥

Vcc -0.2V

Dout = High-Z

TTL interface

RAS, CAS = V

Dout = High-Z

CMOS interface

RAS,

CAS

≥

Vcc -0.2V

Dout = High-Z

RAS-only

refresh current

EDO page mode

current

CAS-before-RAS

refresh current

Self-refresh current

(S - Version)

CAS- before- RAS long

refresh current

(S-Version)

CC3

CC4

CC5

CC8

CC9

RAS cycling, CAS = V

= min

RAS, CAS cycling

RAS

≥

100µs

Standby: V

0.2V

≤

RAS

CAS before RAS refresh:

2048 cycles / 128ms

RAS, CAS: 0V

≤

0.2V

VCC- 0.2V

≤

(Max)

Dout = High-Z, t

RAS

≤

300ns

120

Max

120

Min

-6

VG26(V)(S)17405FJ

4,194,304 x 4 - Bit

CMOS Dynamic RAM

Unit

Notes

Max

110

1, 2

Low

power

S-version

0.25

110

1, 2

120

350

500

110

350

500

µA

1, 3

1, 2

Document:1G5-0162

Rev.1

Page 6

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