Vitesse公司
半导体公司
2.488 Gb /秒为2.7Gbit /秒
1点16的SONET / SDH多路分离器
初步数据表
VSC8164
去耦的电源是在保持部件的正常运行的关键因素。这是
建议在V
CC
电源使用的是0.1脱钩
µ
F和0.01
µ
F的电容并联放置
每个V
CC
电源管脚作为靠近封装成为可能。如果房证, 0.001
µ
F的电容应
也可放置在平行于0.1
µ
F和0.01
µ
˚F电容上面提到的。推荐电容
低电感陶瓷表面贴装X7R设备。对于0.1
µ
F的电容,应使用一0603包。该
0.01
µ
F和0.001
µ
˚F电容器可以是0603或0402的包。
对于低频去耦, 47
µ
?F的钽低电感SMT上限应撒在
审计委员会的主要的+ 3.3V电源,放置在靠近CLC π型滤波器。
如果设备正在使用中的电致化学发光的环境与-3.3V供电,则所有对解耦引用
V
CC
必须改变到V
EE
和去耦3.3V的所有引用必须改变,以-3.3V 。
AC特性
图5 : AC时序波形
CLK16O+
并行数据时钟输出
t
PDD
D(0...15)+
并行数据输出
有效数据(1)
有效数据(2)
CLK32O+
并行数据时钟输出
t
pd32
图6 :高速输入时序
DI +
高速差分串行数据输入
D0
D1 D2
D3
D4 D5 D6 D7 D8 D9 D10D11 D12 D13D14 D15
HSCLKI +
高速差分时钟输入
t
DSU
t
dh
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G52239-0 ,版本3.3
5/17/00