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型号: VSC8022FC
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内容描述: 2.5Gb / s的SONET兼容的8位复用器/解复用器芯片组 [2.5Gb/s SONET-Compatible 8-Bit MUX/DEMUX Chipset]
分类和应用: 解复用器
文件页数/大小: 17 页 / 214 K
品牌: VITESSE [ VITESSE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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Vitesse公司
半导体公司
2.5Gb / s的SONET兼容
8位复用器/解复用器芯片组
表2 : VSC8022解复用器交流特性
参数
t
C
t
D
t
BD
t
DFP广告管理系统
t
亲民党
t
OOFN
t
OOFNPW
余量
时钟周期
(1)
字节时钟期间(t
D
= t
C
×8 ) (框)
字节时钟输出到有效数据
FP从并行数据输出的上升沿
从A1改为A2 (T
DFP广告管理系统
= t
D
)
FP脉冲宽度(T
亲民党
= t
D
)
OOFN下降沿A1陈前
GES为A2 (T
OOFN
= t
D
x 4)
OOFN脉冲宽度(T
OOFNPW
= t
D
)
相对于串行数据的相位时序裕量
以高速时钟:
t
SU
+
t
H
相位裕度 -
1 – ------------------
360°
-
t
C
3.2
12.8
3.2
数据表
VSC8021/VSC8022
400
3.2
0.5
1.0
3.2
2.0
描述
典型值
最大
单位
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
条件
135
180
注: ( 1 )若t
C
的变化,由方程所指示的所有剩余的参数发生变化。
DC特性
表3 :低速ECL输入和输出
(
在推荐工作范围内V
REF ,
V
CC
= GND ,输出负载= 50
为-2.0V )
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
∆V
OUT
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输出电压摆幅
-1020
V
TT
-1150
V
TT
0.8
典型值
最大
-700
-1620
-600
-1500
单位
mV
mV
mV
mV
V
条件
V
IN
= V
IH
(最大值)或V
IL
(分钟)
V
IN
= V
IH
(最大值)或V
IL
(分钟)
保证高信号
所有的输入
保证低信号
所有的输入
输出负载50Ω到V
TT
1.0
1.4
注:差分ECL输出引脚必须相同终止。
表4 :高速输入和输出
(在推荐的工作条件下,V
CC
= GND ,输出负载= 50Ω至-2.0V )
参数
∆V
IN
V
OH
V
OL
∆V
输出( DATA)的
∆V
OUT (CLK)
描述
输入电压摆幅
输出高电压
输出低电压
输出电压摆幅数据
输出电压摆幅时钟
0.8
典型值
1.0
-0.9
-1.8
最大
1.2
单位
V
V
V
条件
AC耦合
输出负载50Ω至-2.0V
输出负载50Ω至-2.0V
输出负载50Ω至-2.0V
输出负载50Ω至-2.0V
0.6
0.6
0.8
0.7
1.2
1.2
V
V
注: (1)一种参考发生器内置于每个高速输入和这些输入被设计为交流耦合。
(2)如果一个高速输入用于单端的,一个150pF的电容器必须连接未使用的高速或完井之间
精神疾病的输入和电源(Ⅴ
TT
).
( 3 )差分高速输出必须相同终止。
第6页
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Vitesse公司
半导体公司
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联系电话: ( 800 ) VITESSE •传真: ( 805 ) 987-5896 •电子邮件: prodinfo@vitesse.com
互联网: www.vitesse.com
G52028-0 ,版本4.1
05/25/01