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VSC7991X 参数 Datasheet PDF下载

VSC7991X图片预览
型号: VSC7991X
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内容描述: SONET / SDH 10.7GB / s的电吸收调制器/激光二极管驱动器 [SONET/SDH 10.7Gb/s Electroabsorption Modulator/Laser Diode Driver]
分类和应用: 驱动器二极管激光二极管
文件页数/大小: 10 页 / 102 K
品牌: VITESSE [ VITESSE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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Vitesse公司
半导体公司
先期产品信息
VSC7991
绝对最大额定值
(1)
SONET / SDH的10.7GB / s的
电吸收调制器/激光二极管驱动器
负电源电压(V
SS
).............................................................................................. V
CC
to
−8.0V
所有引脚................................................................................................................................................V
SS
为+ 1.5V左右
电源电压(V
SS
) ......................................................................................................................................... 8V
电源电流(I
SS
) .................................................................................................................................... 500毫安
输入电压(V
IN
)........................................................................................................................................
−2.0V
输出电压(V
OUT
).................................................................................................................................
−4.0V
调制控制电压(V
IP
).........................................................................................................V
SS
0.5V
输出失调电压控制(IB , IBN ) ..........................................................................................................11V
输出偏移控制电流(I
IB
) .............................................................................................................. 50毫安
最高结温范围
..................................................................................... −55°C
至+ 125°C
存储温度范围:
....................................................................................................... −55°C
至+ 125°C
注意:
( 1 )警告: “绝对最大额定值”,强调可应用于设备一次,而不会造成per-
永久性的损坏。在功能上面列出的值是不是暗示。接触这些值长时间可能
影响器件的可靠性。
推荐工作条件
正电压轨( GND ) .............................................................................................................................. 0V
负电压轨(V
SS
)...........................................................................................................
−6.5V
to
−7.2V
操作外壳温度(T
C1
) ...................................................................................................0°C至75℃
G52321-0 ,版本2.3
02/26/01
©
Vitesse公司
半导体公司
• 741卡莱•普莱诺卡马里奥, CA 93012
联系电话: ( 800 ) VITESSE •传真: ( 805 ) 987-5896 •电子邮件: prodinfo@vitesse.com
互联网: www.vitesse.com
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