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初步数据表
SONET / SDH 2.5Gb / s的激光二极管驱动器
VSC7927
最大外壳温度的计算
该VSC7927被设计成与125 ℃的最高结温操作。从崛起
情况下，以连接点是通过该装置的功率消耗来确定。功耗由下式确定
在V
SS
电流加上工作我
MOD
我
BIAS
电流。
芯片的功率由下式确定：
P
D
= (-V
SS
* I
SS
) + ((V
IOUT
– V
SS
) * I
MOD
) + ((V
IBIAS
– V
SS
) * I
BIAS
)
对于与实施例：
V
SS
I
MOD
I
BIAS
V
IBIAS
V
IOUT
P
D
P
D
=
=
=
=
=
=
=
-5.2V
40mA
20mA
-2.0V
-2.0V
（ -5.2 * 150毫安） + （ （ 5.2 - 2.0 ） * 40毫安） + （ （ 5.2
-
- 2.0 ） * 20mA）的
780MW + 128mW + 64MW = 972mW
热兴起，从结点到外壳的
θ
JC
* P
D
。对于陶瓷封装，
θ
JCP
= 25 ° C / W 。因此，热敏
MAL崛起是：
25 ° C / W * 972W = 24.3 ℃，
最高外壳温度为：
125°C – 24.3°C = 100.7°C
该装置的绝对最大功耗为：
V
SS
I
MOD
I
BIAS
V
IBIAS
V
IOUT
P
D
P
D
=
=
=
=
=
=
=
-5.5V
60mA
50mA
0V
0V
（ 5.5 * 150毫安） + （ 5.5 * 60毫安） + （ 5.5毫安* 50毫安）
1.43W
这将净赚最大的结到外壳的热兴起： 1.43W * 25 ° C / W = 35.8 ℃，
这种情况将允许最大外壳温度： 35.8 °C - 58 ° C = 89.2 ℃，
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G52201-0 ，版本3.0
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