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初步数据表
SONET / SDH 2.5Gb / s的激光二极管驱动器
VSC7924
最大外壳温度的计算
该VSC7924被设计成与125 ℃的最高结温操作。从崛起
情况下，以连接点是通过该装置的功率消耗来确定。功耗由下式确定
在V
SS
电流加上工作我
MOD
我
BIAS
电流。
芯片的功率由下式确定：
P
D
=
(-V
SS
*
I
SS
) + ((V
IOUT
– V
SS
) *
I
MOD
) + ((V
IBIAS
– V
SS
) *
I
BIAS
)
对于与实施例：
V
SS
I
MOD
I
BIAS
V
IBIAS
V
IOUT
=
=
=
=
=
-5.2V
40mA
20mA
-2.0V
-2.0V
(-5.2 *
220mA)
+ ((5.2
- 2.0)
*
40mA)
+ ((5.2
-
- 2.0)
*
20mA)
1144mW + 128mW + 64MW = 1.336W
P
D
=
P
D
=
结点的热引起的情况是
θ
JC
*
P
D
。对于陶瓷封装，
θ
JC
= 25 ° C / W 。因此，热敏
MAL崛起是：
25 ° C / W * 1.336W = 33.4 ℃，
最高外壳温度为：
125°C – 33.4°C = 91.6°C
该装置的绝对最大功耗为：
V
SS
I
MOD
I
BIAS
V
IBIAS
V
IOUT
=
=
=
=
=
-5.5V
60mA
50mA
0V
0V
(5.5 *
220mA)
+ (5.5 *
60mA)
+ （ 5.5毫安*
50mA)
P
D
=
1.815W
P
D
=
这将净赚最大的结到外壳的热兴起： 1.815W * 25 ° C / W = 45.4 ℃，
这种情况将允许最大外壳温度： 125°C - 45.4 ° C = 79.6 ℃，
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G52156-0 ，版本3.0
05/01/01
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