US1A THRU US1M
威世通用半导体
100
1000
正向电流（A ）
瞬时反向漏
电流（ μA ）
T
J
= 150 °C
100
T
J
= 125 °C
10
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 100 °C
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.3
US1A - US1G
1
US1J - US1M
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
0
20
40
60
80
100
正向
电压
(V)
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图3.典型正向特性
图6.典型的反向漏电特性
100
100
T
J
= 150 °C
US1A - US1G
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
瞬时反向漏
电流（ μA ）
10
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 100 °C
结电容（pF ）
10
US1J - US1M
0.1
US1A - US1G
T
J
= 25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
1
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
反向
电压
(V)
图4.典型的反向漏电特性
图7.典型结电容
100
100
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
3.2
正向电流（A ）
10
1
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
US1J - US1M
0.01
0.2
1
0.7
1.2
1.7
2.2
2.7
0.1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图5.典型的正向特性
图8.典型的瞬态热阻抗
文档编号： 88768
修订： 27 - 8 - 07
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