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SI9430DY 参数 Datasheet PDF下载

SI9430DY图片预览
型号: SI9430DY
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内容描述: P通道30 -V (D -S )的MOSFET [P-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 269 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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SPICE器件模型Si9430DY
Vishay Siliconix公司
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
V
GS ( TH)
I
D(上)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
−250 µA
V
DS
=
−5
V, V
GS
=
−10
V
V
DS
=
−5
V, V
GS
=
−4.5
V
V
GS
=
−10
V,I
D
=
−5.3
A
漏源导通电阻
a
符号
测试条件
典型
2.2
117
14
0.033
0.042
0.055
9.3
−0.76
单位
V
A
r
DS ( ON)
V
GS
=
−6
V,I
D
=
−3.6
A
V
GS
=
−4.5
V,I
D
=
2.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
−15
V,I
D
=
−5.3
A
I
S
=
−2.4
A,V
GS
= 0 V
S
V
动态
b
总栅极电荷
b
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
b
导通延迟时间
b
上升时间
b
b
b
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
=
−2.4A,
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
=
−10
V ,R
L
= 10
I
D
≅ −1
A,V
=
−10
V ,R
G
= 6
V
DS
=
−10
V, V
GS
=
−10
V,I
D
=
−5.3
A
26.4
4.5
5.6
15
21
35
45
66
ns
nC
打开-O FF延迟时间
下降时间
b
源漏反向恢复时间
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300
µs,
占空比
2%.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号: 70512
01-Jun-04