Si4532DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源漏二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.16
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.20
I S - 源电流（ A）
0.12
I
D
= 3.9 A
0.08
0.04
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.4
0.2
–0.0
阈值电压
I
D
= 250
mA
30
单脉冲功率
25
V GS （ TH）方差（V ）
20
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–50
功率（W）的
15
10
5
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归一化瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
日前，Vishay Siliconix公司， LAURELWOOD路2201 ，圣克拉拉， CA 95054
S
电话(408)988-8000
S
FaxBack (408)970-5600
S
www.siliconix.com
S- 56944 -REV 。 D， 23 - NOV- 93
Siliconix公司的前身是TEMIC半导体公司的一个分公司
3-4
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
