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SI4420DY 参数 Datasheet PDF下载

SI4420DY图片预览
型号: SI4420DY
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内容描述: N通道, 30 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 105 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
   
规格比较
Vishay Siliconix公司
Si4420BDY与Si4420DY
描述:
包装:
引脚输出:
N通道, 30 -V (D -S )的MOSFET
SO-8
相同
型号替换:
Si4420BDY -T1 -E3替换Si4420DY -T1 -E3
Si4420BDY -T1 -E3替换Si4420DY -T1
业绩概要:
该Si4420BDY是替换原始Si4420DY ;这两部分进行相同的,包括限制向参
下面的表格。
绝对最大额定值(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数
符号
Si4420BDY
Si4420DY
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流
( MOSFET二极管的导通)
功耗
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
工作结&存储温度范围
最大结点到环境
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
&放大器;牛逼
英镑
R
thJA
30
+20
13.5
10.8
50
2.3
2.5
1.6
-55到150
50
30
+20
13.5
10.8
50
2.7
3.0
1.9
-55到150
42
W
°C
° C / W
A
V
规格(T
J
= 25
O
C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
Qg
QGT
QGS
QGD
Rg
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
30
0.007
0.009
50
0.75
16
31
6.6
4.0
1.0
15
11
40
12
30
1.1
25
50
0.0085
0.011
1.0
3.0
+100
1
30
0.0075
0.010
50
NS
29
58
12
9.5
2.1
22
13
82
30
50
1.1
45
90
0.009
0.013
1.0
2.0
3.0
+100
1
V
nA
µA
A
S
V
符号
Si4420BDY
典型值
最大
Si4420DY
典型值
最大
单位
动态
总负责人
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
nC
0.5
1.5
25
18
60
20
50
0.5
4.6
35
20
125
45
75
开关
开启时间*
关断时间*
源漏反向恢复时间
NS表示没有指定参数
ns
文档编号74060
06-May-05
www.vishay.com