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SI4410DY-REVA-E3 参数 Datasheet PDF下载

SI4410DY-REVA-E3图片预览
型号: SI4410DY-REVA-E3
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内容描述: N通道30 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 57 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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Si4410DY
Vishay Siliconix公司
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( )
DS ( ON)
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
=10 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 5 A
V
DS
= 15 V,I
D
= 10 A
I
S
= 2.3 A,V
GS
= 0 V
20
0.011
0.015
38
0.7
1.1
0.0135
0.020
1.0
3.0
"100
1
25
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
典型值
最大
单位
动态
b
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
= 2.3 A, ​​di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 25 V ,R
L
= 25
W
I
D
^
1 ,V
= 10 V ,R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V,I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V V
GS
= 10 V I
D
= 10 A
V,
V,
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 10 A
0.5
20
37
7
7.0
1.5
19
9
70
20
40
2.6
30
20
100
80
80
ns
W
34
60
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证,不受生产测试。显示的值是产品版本A.
www.vishay.com
2
文档编号: 71726
S- 40838 -REV 。 L, 03月, 04