Si4416DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
正向跨导
二极管的正向电压
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.3 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 9.0 A
I
S
= 2.1 A，V
GS
= 0 V
20
0.012
0.019
23
1.2
0.018
0.028
1
"100
1
25
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.1 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
0.2
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 9.0 A
,
,
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 9.0 A
14
24
4.5
5.9
1.0
16
10
34
13
50
2.4
20
20
50
20
90
ns
W
20
35
nC
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通5 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
4V
30
I
D
- 漏电流（ A）
40
50
传输特性
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
- 55_C
10
3V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72266
S- 31062 -REV 。 E， 26日， 03
www.vishay.com
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VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
