欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    MMBT4403 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT4403图片预览
    型号： MMBT4403
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 小信号晶体管（ PNP ） [SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 119 K
    品牌： VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
     浏览型号MMBT4403的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT4403的Datasheet PDF文件第3页  
    MMBT4403
    电气特性
    在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
    符号
    分钟。
    马克斯。
    单位
    集电极 - 基极击穿电压
    日易迪
    C
    = 0.1毫安，我
    E
    = 0
    集电极 - 发射极击穿电压
    (1)
    日易迪
    C
    = 1毫安，我
    B
    = 0
    发射极 - 基极击穿电压
    日易迪
    E
    = 0.1毫安，我
    C
    = 0
    集电极 - 发射极饱和电压
    (1)
    日易迪
    C
    = 150毫安， -I
    B
    = 15毫安
    日易迪
    C
    = 500毫安，二
    B
    = 50毫安
    基射极饱和电压
    (1)
    日易迪
    C
    = 150毫安， -I
    B
    = 15毫安
    日易迪
    C
    = 500毫安，二
    B
    = 50毫安
    集电极 - 发射极截止电流
    在DV
    EB
    = 0.4 V, ÐV
    CE
    = 35 V
    发射基截止电流
    在DV
    EB
    = 0.4 V, ÐV
    CE
    = 35 V
    直流电流增益
    在DV
    CE
    = 1 V ， -I
    C
    =
    在DV
    CE
    = 1 V ， -I
    C
    =
    在DV
    CE
    = 1 V ， -I
    C
    =
    在DV
    CE
    = 2 V ，二
    C
    =
    在DV
    CE
    = 2 V ，二
    C
    =
    0.1毫安
    1毫安
    10毫安
    150毫安
    500毫安
    ÐV
    （ BR ） CBO
    ÐV
    （ BR ） CEO
    ÐV
    （ BR ） EBO
    ÐV
    CESAT
    ÐV
    CESAT
    ÐV
    BESAT
    ÐV
    BESAT
    ÐI
    CEX
    ÐI
    BEV
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    h
    ie
    f
    T
    C
    CBO
    C
    EBO
    40
    40
    5.0
    Ð
    Ð
    0.75
    Ð
    Ð
    Ð
    30
    60
    100
    100
    20
    1.5
    200
    Ð
    Ð
    Ð
    Ð
    Ð
    0.40
    0.75
    0.95
    1.30
    100
    100
    Ð
    Ð
    Ð
    300
    Ð
    15
    Ð
    8.5
    30
    伏
    伏
    伏
    伏
    伏
    伏
    伏
    nA
    nA
    Ð
    Ð
    Ð
    Ð
    Ð
    kW
    兆赫
    pF
    pF
    输入阻抗
    在DV
    CE
    = 10 V ，二
    C
    = 1毫安中，f = 1千赫
    电流增益带宽积
    在DV
    CE
    = 10 V ，二
    C
    = 20 mA时， F = 100 MHz的
    集电极 - 基极电容
    在DV
    CB
    = 10 V，I
    E
    = 0中，f = 1 MHz的
    发射极 - 基极电容
    在DV
    EB
    = 0.5 V，I
    C
    = 0中，f = 1MHz时，
    注意事项：
    （ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度² 300米占空比² 2 ％

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6