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    MMBT3904 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT3904图片预览
    型号： MMBT3904
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 小信号晶体管（ NPN ） [Small Signal Transistors (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 3 页 / 139 K
    品牌： VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
     浏览型号MMBT3904的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT3904的Datasheet PDF文件第3页  
    MMBT3904
    电气特性
    在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
    符号
    分钟。
    马克斯。
    单位
    集电极 - 基极击穿电压
    在我
    C
    = 10
    毫安，
    I
    E
    = 0
    集电极 - 发射极击穿电压
    在我
    C
    = 1毫安，我
    B
    = 0
    发射极 - 基极击穿电压
    在我
    E
    = 10
    毫安，
    I
    C
    = 0
    集电极饱和电压
    在我
    C
    = 10 mA时，我
    B
    = 1毫安
    在我
    C
    = 50 mA时，我
    B
    = 5毫安
    基本饱和电压
    在我
    C
    = 10 mA时，我
    B
    = 1毫安
    在我
    C
    = 50 mA时，我
    B
    = 5毫安
    集电极 - 发射极截止电流
    V
    EB
    = 3 V, V
    CE
    = 30 V
    发射基截止电流
    V
    EB
    = 3 V, V
    CE
    = 30 V
    直流电流增益
    在V
    CE
    = 1 V，I
    C
    - 0.1毫安
    在V
    CE
    = 1 V，I
    C
    = 1毫安
    在V
    CE
    = 1 V，I
    C
    = 10毫安
    在V
    CE
    = 1 V，I
    C
    = 50毫安
    在V
    CE
    = 1 V，I
    C
    = 100毫安
    输入阻抗
    在V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 1毫安中，f = 1千赫
    增益带宽积
    在V
    CE
    = 20 V，I
    C
    = 10 mA时， F = 100 MHz的
    集电极 - 基极电容
    在V
    CB
    = 5 V ， F = 100千赫
    发射极 - 基极电容
    在V
    EB
    = 0.5 V ， F = 100千赫
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    V
    CESAT
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    V
    BESAT
    I
    CEV
    I
    EBV
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    h
    ie
    f
    T
    C
    CBO
    C
    EBO
    60
    40
    6.0
    Ð
    Ð
    Ð
    Ð
    Ð
    Ð
    40
    70
    100
    60
    30
    1
    300
    Ð
    Ð
    Ð
    Ð
    Ð
    0.2
    0.3
    0.85
    0.95
    50
    50
    Ð
    Ð
    300
    Ð
    Ð
    10
    Ð
    4
    8
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    nA
    nA
    Ð
    Ð
    Ð
    Ð
    Ð
    kW
    兆赫
    pF
    pF

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