ILCT6/MCT6
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
双通道
绝对最大额定值
参数
输入
额定正向电流，直流
峰值正向电流，直流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极电流
集电极发射极击穿电压
功耗
从25° C减免线性
耦合器
绝缘测试电压
绝缘电阻
爬电距离
间隙距离
总包耗散
从25° C减免线性
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
P
合计
T
英镑
T
AMB
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
1.0 μs的脉冲， 300 PPS
I
FM
P
DISS
60
3.0
100
1.3
30
30
150
2.0
5300
≥
10
12
≥
10
11
≥
7.0
≥
7.0
400
5.33
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
mA
A
mW
毫瓦/°C的
mA
V
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
Ω
Ω
mm
mm
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
s
测试条件
符号
价值
单位
I
C
BV
首席执行官
P
DISS
V
ISO
R
IO
R
IO
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
结电容
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极电容
耦合器
饱和电压，集电极 - 发射极
电容（输入输出）
渠道之间的电容
带宽
I
C
= 2.0毫安，我
F
= 16毫安
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
Ω
V
CESAT
C
IO
0.5
0.4
150
0.40
V
pF
pF
千赫
I
C
= 1.0 IA ，我
E
= 10 µA
I
C
= 10
μA,
I
E
= 10 µA
V
CE
= 10 V
V
CE
= 0 V
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
30
7.0
65
10
1.0
8.0
100
V
V
nA
pF
I
F
= 20毫安
V
R
= 3.0 V
V
F
= 0 V
V
F
I
R
C
j
1.25
0.1
25
1.50
10
V
µA
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83645
修订版1.5 ， 20日-12月07
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