新产品
膜生物反应器（F ， B） 2090CT & MBR （F ， B） 20100CT
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
TMBS
®
TO-220AB
ITO-220AB
特点
•
•
•
•
•
•
1
2
3
MBR2090CT
MBR20100CT
销1
3脚
销2
例
2
1
3
MBRF2090CT
MBRF20100CT
销1
3脚
销2
沟槽MOS肖特基技术
较低的功率损耗，效率高
低正向压降
高正向浪涌能力
高频率运行
会见MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
•焊锡炉温度275 ° C（最大值） ， 10秒，
每JESD 22 - B106 （用于TO- 220AB和ITO - 220AB
包）
•符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
TO-263AB
K
2
1
MBRB2090CT
MBRB20100CT
销1
销2
典型应用
在切换高频整流用
式电源，续流二极管，直流 - 直流
转换器或极性保护应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
K
散热器
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
2 ×10
90 V, 100 V
150 A
0.65 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
= 133 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
非重复性雪崩能量
在T
J
= 25 ° C，L = 60 mH的二极管
在t重复峰值反向电流
p
= 2微秒， 1 kHz时，
T
J
= 38 ° C± 2°C的每二极管
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
文档编号： 89033
修订： 24军09
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR2090CT
90
90
90
20
10
150
130
0.5
10 000
- 65至+ 150
1500
MBR20100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
mJ
A
V / μs的
°C
V
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