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MBRF1090CT ， MBRF10100CT
威世通用半导体
4.0
D = 0.8
3.5
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
平均功耗（ W）
D = 0.3
3.0
D = 0.2
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
1
2
3
D = 0.1
D = 1.0
T
结电容（pF ）
D = 0.5
100
D =吨
p
/T
t
p
10
4
5
6
0.1
1
10
100
平均正向电流（ A）
反向电压（ V）
图。 3 - 正向功率损耗特性每二极管
图。 6 - 典型结Capacitanc每二极管
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
T
A
= 150 °C
结到外壳
T
A
= 125 °C
10
T
A
= 100 °C
1
T
A
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
0.01
0.1
1
10
100
正向电压（ V）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 典型正向特性每二极管
图。 7 - 每二极管典型的瞬态热阻抗
100
瞬时反向电流（mA ）
10
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
1
T
A
= 100 °C
0.1
0.01
0.001
T
A
= 25 °C
0.0001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型的反向特性每二极管
文档编号： 89321
修订： 22 09月10
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