新产品
MBR1090CT ， MBR10100CT
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
TMBS
®
特点
•沟道MOS肖特基技术
•更低的功率损耗，效率高
•低正向压降
•高正向浪涌能力
??高频工作
3
2
1
TO-220AB
•焊锡炉温度275 ° C（最大值） ， 10秒，
每JESD 22 - B106
•符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
典型应用
对于交换式高频整流用
电源供应器，续流二极管，直流 - 直流
转换器或极性保护应用
销1
3脚
销2
例
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
2× 5.0
90 V, 100 V
120 A
0.75 V
150 °C
机械数据
案例：
TO-220AB
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
= 105 °C
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
MBR1090CT
90
90
90
10
5.0
120
60
0.5
10 000
- 65至+ 150
MBR10100CT
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
mJ
A
V / μs的
°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加
每个二极管的额定载荷
非重复性雪崩能量
在T
J
= 25 ° C，L = 60 mH的二极管
在t重复峰值反向电流
p
= 2微秒， 1 kHz时，
T
J
= 38 ° C± 2°C的每二极管
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
文档编号： 89125
修订： 26 -APR- 10
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