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    MBR0520PBF 参数 Datasheet PDF下载

    MBR0520PBF图片预览
    型号： MBR0520PBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 肖特基二极管， 0.5 A [Schottky Diode, 0.5 A]
    分类和应用： 整流二极管肖特基二极管光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 83 K
    品牌： VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
     浏览型号MBR0520PBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MBR0520PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR0520PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBR0520PBF的Datasheet PDF文件第5页  
    MBR0520PbF
    肖特基二极管， 0.5 A
    日前，Vishay高功率产品
    160
    150
    140
    130
    120
    110
    SEE
    注（1）
    方
    WAVE
    (D = 0.50)
    允许外壳温度（ ℃）
    10
    I
    F
    - 瞬时
    正向电流（ A）
    1
    D = 0.20
    D = 0.25
    D = 0.33
    D = 0.50
    D = 0.75
    0.1
    T
    J
    = 150 °C
    T
    J
    = 100 °C
    T
    J
    = 25 °C
    DC
    0.01
    100
    0
    0.1
    0.2
    0.3
    0.4
    0.5
    0.6
    0.7
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    V
    FM
    - 正向压降（ V）
    图。 1 - 最大正向压降特性
    I
    F（ AV ）
    - 平均正向电流（ A）
    图。 4 - 最大允许外壳温度对比
    平均正向电流
    0.3
    100
    T
    J
    = 150 °C
    I
    R
    - 反向电流（mA ）
    10
    1
    0.1
    0.01
    0.001
    0.0001
    T
    J
    = 125 °C
    T
    J
    = 100 °C
    平均功耗（ W）
    0.2
    D = 0.20
    D = 0.25
    D = 0.33
    D = 0.50
    D = 0.75
    T
    J
    = 75 °C
    T
    J
    = 50 °C
    RMS限制
    0.1
    DC
    T
    J
    = 25 °C
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    V
    R
    - 反向电压（ V）
    图。 2 - 典型的反向电流与价值观
    反向电压
    1000
    100
    I
    F（ AV ）
    - 平均正向电流（ A）
    图。 5 - 正向功率损耗特性
    C
    T
    - 结电容（pF ）
    100
    T
    J
    = 25 °C
    I
    FSM
    - 非重复性
    浪涌电流（ A）
    10
    在任何额定负载条件
    和额定V
    RRM
    应用的
    以下浪涌
    1
    10
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    10
    100
    1000
    10 000
    V
    R
    - 反向电压（ V）
    图。 3 - 典型结电容比。
    反向电压
    (1)
    t
    p
    - 方波脉冲持续时间（微秒）
    图。 6 - 最大不重复浪涌电流
    记
    公式中使用：T已
    C
    = T
    J
    - （ PD +钯
    转
    ）个R
    thJC
    ;
    PD =正向功率损耗= I
    F（ AV ）
    X V
    FM
    在（我
    F（ AV ）
    / D ） （参见图6） 。钯
    转
    =逆功率损耗= V
    R1
    X我
    R
    （ 1 - D） ;我
    R
    (1 - D)
    文档编号： 94281
    修订： 14 - 8 - 08
    如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
    www.vishay.com
    3

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